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光纖熔接
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關(guān)鍵字:山東光纖熔接
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   影響光纖熔接損耗的要素較多,大體可分為光纖本征要素和非本征要素兩類。

影響光纖接續(xù)損耗的非本征要素即接續(xù)技術(shù)。

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(1)軸心錯位:單模光纖纖芯很細,兩根對接光纖軸心錯位會影響接續(xù)損耗。當錯位1.2μm時,接續(xù)損耗達0.5dB。

(2)軸心傾斜:當光纖斷面傾斜1°時,約發(fā)作0.6dB的接續(xù)損耗,假設(shè)需要接續(xù)損耗≤0.1dB,則單模光纖的傾角應(yīng)為≤0.3°。

(3)端面分別:活動聯(lián)接器的聯(lián)接欠好,很簡略發(fā)作端面分別,構(gòu)成聯(lián)接損耗較大。當熔接機放電電壓較低時,也簡略發(fā)作端面分別,此情況通常在有拉力檢驗功用的熔接機中可以發(fā)現(xiàn)。

(4)端面質(zhì)量:光纖端面的平整度差時也會發(fā)作損耗,甚至氣泡。

(5)接續(xù)點附近光纖物理變形:光纜在架起過程中的拉伸變形,接續(xù)盒中夾固光纜壓力太大等,都會對接續(xù)損耗有影響,甚至熔接幾回都不能改善。

光纖本征要素是指光纖自身要素,主要有四點。

(1)光纖模場直徑不一致;

(2)兩根光纖芯徑失配;

(3)纖芯截面不圓;

(4)纖芯與包層同心度欠安。

其間光纖模場直徑不一致影響最大,按CCITT(國際電報電話咨詢委員會)建議,單模光纖的容限標準如下:

模場直徑:(9~10μm)±10%,即容限約±1μm;

包層直徑:125±3μm;

模場同心度過失≤6%,包層不圓度≤2%。

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