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IGBT突波吸收電容

雙面金屬化膜內(nèi)串結(jié)構(gòu)、特別的內(nèi)部設(shè)計和端面噴金技術(shù)，使電容具低感抗，

多條引線設(shè)計，可承受更高紋波電流，高du/dv以及高過壓能力。

用于各類IGBT緩沖線路突波吸收，各類高頻諧振線路

材料特性

電容結(jié)構(gòu): 雙層金屬化膜，內(nèi)部串聯(lián)結(jié)構(gòu)

封裝: 阻燃塑膠外殼，環(huán)氧樹脂封裝，符合(UL94V-0 )標(biāo)準(zhǔn).

尺寸: 適合于各種IGBT保護(hù) 。(可按客戶需求定制特殊規(guī)格)

電氣特性

電容量: 0.0047 to 6.8μF,參考表格數(shù)據(jù)

額定電壓: 700 to 3000 Vdc

損耗角正切: 測試條件 1000±20 Hz ， 25±5℃.

              Cr≤1.0μF， 4×10-4； Cr>1.0μF， 6×10-4

絕緣電阻: 3000s，s= MΩ. μF 測試條件 1 minute，100Vdc (25±5℃)

耐電壓: 2Ur (DC)測試條件 10s，t 25±5℃，1Min

工作溫度: -40~+85℃

以上產(chǎn)品全新原裝進(jìn)口，有現(xiàn)貨，直接代理商，有價格優(yōu)勢

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